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（Ⅱ）边位点工程半导体相2DTMD具有催化惰性基面，国牡其催化活性中心通常位于边缘，在那里暴露出丰富的不饱和原子。丹之都量子限制效应赋予它们可调的带结构（图11a）。应继续致力于这一领域（光催化2DTMDs的边缘位点工程），花的菏泽将重心放在巧妙的结构设计和容易的边缘位点合成上。

这是因为它可以调整2DTMD的电子结构（图14b）和相邻原子排列，力量以提高固有活性。2DTMD和光采集半导体之间容易形成化学键桥，中走访如Bi12O17Cl2-MoS2界面中的Bi-S键桥（图8a）、中走访ZnIn2S4-MoS2界面的Zn-S键桥（图8b）、和TiO2-ReS2或TiO2-MoS2界面中O-Re（或O-Mo）键桥（见图8c）。

它们非凡的电子、国牡光子和化学属性使它们成为有效的捕光体和光催化体。

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